RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1706
2829
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link