RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2829
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link