RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2124
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link