RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2124
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link