RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
67
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2030
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link