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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
2173
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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