RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2173
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link