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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
25
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3230
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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