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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
25
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
20
读取速度,GB/s
12.1
18.9
写入速度,GB/s
8.6
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3230
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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