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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.0
18.6
写入速度,GB/s
7.8
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3741
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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