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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1806
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
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