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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1844
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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