RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1844
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link