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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3014
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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