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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
58
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1718
2962
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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