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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3295
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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