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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
3384
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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