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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3384
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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