RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3384
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link