RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
56
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2588
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link