RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
56
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2588
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link