RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
41
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2917
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link