Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 17.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 69
    Wokół strony -165% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.0 left arrow 1,441.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 5300
    Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    69 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,325.1 left arrow 17.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,441.2 left arrow 14.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    525 left arrow 3017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania