RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3017
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link