RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
24.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link