PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.4 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.4 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 17.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 3340

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM