RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En 11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
24.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
19.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
4174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link