RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
56
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2614
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link