RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2614
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link