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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
25
读取速度,GB/s
4,387.7
16.3
写入速度,GB/s
1,813.5
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2614
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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