Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

总分
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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB

总分
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 33
    左右 -43% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.3 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.2 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    33 left arrow 23
  • 读取速度,GB/s
    11.8 left arrow 17.3
  • 写入速度,GB/s
    8.5 left arrow 13.2
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1862 left arrow 3233
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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