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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
21
读取速度,GB/s
16.1
16.7
写入速度,GB/s
10.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2691
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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