RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2691
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link