RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
55
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2078
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link