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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

総合得点
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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB

総合得点
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 33
    周辺 -43% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1862 left arrow 3233

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