PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

総合得点
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 63
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 5.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1274 left arrow 3169
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