RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
3169
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Сравнения RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link