PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 63
    Около -75% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.2 left arrow 5.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.1 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.0 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1274 left arrow 3169
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения