PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Note globale
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 63
    Autour de -75% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.3 left arrow 6.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.2 left arrow 5.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    63 left arrow 36
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6.1 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.0 left arrow 12.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1274 left arrow 3169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons