PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Puntuación global
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 63
    En -75% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.3 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.2 left arrow 5.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    63 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.1 left arrow 17.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.0 left arrow 12.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1274 left arrow 3169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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