RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2234
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link