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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2234
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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