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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
总分
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
15.1
20.4
写入速度,GB/s
9.9
15.2
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3483
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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