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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
27700
10600
左右 2.61 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
18.5
写入速度,GB/s
5.9
15.8
内存带宽,mbps
10600
27700
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1420
3539
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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