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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
14.1
写入速度,GB/s
1,590.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2829
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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