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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 49
    左右 8% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    12 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 49
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 8.2
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 5.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 1223

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