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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
45
49
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12
8.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21% 高帯域
考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
49
読み出し速度、GB/s
12.0
8.2
書き込み速度、GB/秒
7.8
5.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
10600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1223
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