Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    45 left arrow 49
    Intorno 8% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 5.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 49
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.0 left arrow 8.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 5.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1939 left arrow 1223
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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