RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
56
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
25
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2614
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link