RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3963
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link