RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3963
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link